Программа расчета параметров моделей компонентов Parts

Программа Parts рассчитывает по паспортным данным параметры моделей полупроводниковых приборов (диодов, биполярных, полевых и мощных МОП-транзисторов), макромоделей операционных усилителей, компараторов напряжения, регуляторов напряжения, стабилизаторов напряжения и моделей магнитных сердечников. Математическое описание этих моделей дано в гл. 4, 5.

Математические модели компонентов записываются в библиотечные файлы с расширением имени .lib (примеры приведены в Приложении 4). При желании можно составить файлы отдельных моделей, имеющие расширение имени .mod. Помимо параметров математических моделей в эти файлы заносится также протокол ввода паспортных данных, так что при уточнении отдельных параметров нет необходимости вводить заново все паспортные данные. В файлах отлаженных библиотек протокол паспортных данных обычно удаляется, чтобы уменьшить объем файлов, сделать их удобочитаемыми.

Программа Parts вызывается щелчком мыши по одноименной пиктограмме. Она управляется с помощью команд ниспадающего меню. Кроме того, имеется набор пиктограмм для быстрого вызова наиболее употребительных подкоманд (см. табл. 7.7).

Таблица 7.7

Пиктограмма	Эквивалентная команда	Пиктограмма	Эквивалентная команда

	Part/New		View/Out
	Part/Get		View/Area
	Part/Save		View/Fit
	Plot/Display		Plot/X Axis Settings/Linear (Log)
	Немедленный вывод на принтер		Plot/Y Axis Settings/Linear (Log)
	View/In		Extract/Parameters

Краткое описание команд программы Parts приведено в табл. 7.8.

Таблица 7.8

Команда	Назначение

Меню File

Open/Create Library... (Ctrl+F)	Загрузка/создание файла библиотеки моделей для последующего редактирования
Save Library (Ctrl+S)	Сохранение внесенных изменений в текущей библиотеке
Save As Library...	Сохранение внесенных изменений в новом библиотечном файле, имя которого указывается по дополнительному запросу
Print... (Ctrl+H)	Печать графиков одного или нескольких окон
Page Setup...	Настройка параметров страницы
Printer Select...	Выбор типа принтера
Log Commands...	Включение/выключение режима составления файла протокола команд (расширение имени .cmd)
Run Commands...	Выполнение файла протокола команд
Exit (Alt+F4)	Завершение работы с графическим редактором
Файл 1, ... , Файл 4	Список последних четырех загруженных файлов

Меню Edit

Cut (Ctrl+X, Del)	Удаление одного из дополнительных графиков (для выбора графика курсором отмечается его имя)
Parameter (Ctrl+R, двойной щелчок по имени параметра)	Редактирование выбранного параметра модели (расположены в правом списке основного окна). Возможно задание диапазона допустимых значений параметра (Upper, Lower). Щелчок по панели Freez current value from extraction не позволяет изменять введенное значение параметра в процессе обработки паспортных данных
Spec (Ctrl+O, двойной щелчок по названию спецификации)	Редактирование выбранной спецификации паспортных данных компонента (расположены в левом списке основного окна)

Меню Part

New...	Создание новой модели компонента: указывается имя модели на строке Part Name и выбирается ее тип из списка Select Part Type
Copy... (Ctrl+C)	Копирование параметров существующей модели из выбранной библиотеки под новым именем в текущую библиотеку
Get... (Ctrl+G)	Загрузка параметров выбранной модели из текущей библиотеки
Save	Сохранение в библиотеке параметров текущей модели
IBIS transistor (Ctrl+B)	Трансляция модели формата IBIS (из файла с расширением имени .ibs) в формат PSpice
Export...	Запись параметров текущей модели в отдельный текстовый файл .mod
Import...	Импортирование в библиотеку параметров модели из текстового файла .mod

Меню Trace

Add... (Ctrl+T)	Добавление графика в текущем окне. По умолчанию предлагается построить график при другом значении температуры. Имя варьируемого параметра изменяется по команде Plot/X Axis Settings/Trace Variable

Меню Plot

Display (Ctrl+D)	Построение графика, соответствующего выбранной спецификации
X Axis Settings...	Задание диапазонов значений по оси X:
	Data Range	Диапазон изменения
	Linear	Линейная шкала
	Log	Логарифмическая шкала
	Trace Variable	Выбор имени независимой переменной
Y Axis Settings...	Задание диапазонов значений по оси Y:
	Data Range	Диапазон изменения (Auto – выбираемый автоматически, User Defined – назначаемый пользователем)
	Linear	Линейная шкала
	Log	Логарифмическая шкала

Меню View

Fit (Ctrl+N)	Изменение масштаба изображения так, чтобы на полном экране разместились все имеющиеся на схеме компоненты, проводники и соединители
In (Ctrl+I)	Увеличение масштаба изображения (центр поля зрения указывается курсором). Степень увеличения назначается с помощью параметра ZOOMFACTOR в файле msim.ini
Out (Ctrl+O)	Уменьшение масштаба изображения (центр поля зрения указывается курсором)
Area (Ctrl+A)	Вывод на весь экран окаймленной части изображения
Previous	Возвращение к предыдущему масштабу изображения
Entire Page	Вывод на экран полного изображения страницы схемы, размер которой задан по команде Option/Page Size
Redraw (Ctrl+L)	Перечерчивание экрана
Pan–New Center	Расположение схемы симметрично относительно точки расположения курсора без изменения масштаба

Меню Extract

Parameters (Ctrl+E)	Расчет параметров математической модели на основании введенных паспортных данных

Меню Options

Toolbar	Выключение/включение линейки пиктограмм


Меню Window

Close	Закрытие текущего окна
Arrange...	Упорядочение размещения открытых окон
1 <заголовок окна>	Список открытых окон
. . . .
[9 <заголовок окна>]
[Дополнительные окна]

Меню Help

Index	Вывод списка разделов встроенной инструкции
Keyboard	Вывод списка назначений функциональных клавиш и комбинаций клавиш
Menu Commands	Вывод инструкции о всех командах
Using Help	Вывод кратких указаний по работе со встроенной инструкцией
About...	Вывод номера версии программы и ее регистрационного номера

Поясним принцип работы с Parts на примере создания модели диода. Сначала по команде File/Open/Create Library указывается имя файла библиотеки моделей диодов (если такого файла не существует, то создается новый файл с расширением имени .lib). Далее по команде Part/New (или выбором пиктограммы

) вводится имя модели диода и в предлагаемом списке типов моделей указывается его тип DIODE. Доступны следующие типы моделей:

CORE – магнитный сердечник;

DIODE – диод;

NMOS (PWR MOSFET) – мощный МОП-транзистор с каналом n-типа;

NPN TRANSISTOR – биполярный n–p–n-транзистор;

OPAMP – операционный усилитель;

PJF – полевой транзистор с каналом p-типа;

PMOS (PWR MOSFET) – мощный МОП-транзистор с каналом p-типа;

PNP TRANSISTOR – биполярный p–n–p-транзистор;

VOLT. COMPARATOR – компаратор напряжения;

VOLT. REFERENCE – стабилизатор напряжения;

VOLT. REGULATOR – регулятор напряжения.

К введенному в панели Name имени встроенной модели программа добавляет префикс в соответствии с типом модели: к имени диода – букву D, биполярного транзистора – Q, полевого транзистора – J, МОП-транзистора – M, магнитного сердечника – K. Например, если ввести имя модели диода 520A, то программа Parts присоединит к нему префикс D и в библиотеку будет занесена модель D520A. К именам макромоделей, к которым относятся операционные усилители, компараторы, регуляторы и стабилизаторы напряжения, префикс не добавляется.

Рис. 7.19. Экран ввода паспортных данных

После ввода имени и типа модели на экран выводится список параметров модели (рис. 7.19). В левой части экрана приведен перечень спецификаций паспортных данных, в правой – перечень параметров математической модели, рассчитанной на основе введенных паспортных данных. Первоначально всем параметрам модели присваиваются значения по умолчанию.

Паспортные данные вводятся порциями на отдельных экранах в двух режимах:

1) в режиме Device curve вводятся по точкам координаты характеристики, например ВАХ диода, зависимость барьерной емкости p–n-перехода от напряжения смещения и т.

п. (рис. 7.20, а). На экране одновременно помещаются координаты 10 точек; если их больше, то появляется линейка прокрутки. Координаты новой точки вводятся по команде Add. Эти данные рекомендуется вводить в порядке возрастания независимой переменной. Ввод точек завершается командой OK. По команде Plot/Display (или выбором пиктограммы

) на экране вычерчивается аппроксимирующая функция и значками отмечаются введенные точки, на основании которых она построена;

2) в режиме Device data вводятся значения отдельных параметров устройства (рис. 7.20, б).

Рис. 7.20. Ввод координат графиков (а) и значений отдельных параметров (б)

На основании порции введенных данных программа Parts по команде Extract/Parameters (или после выбора пиктограммы

) рассчитывает ряд параметров математической модели, которые отображаются на графике. Переход из режима отображения графиков в режим ввода параметров выполняется по команде Window/Close.

Вызов панели ввода данных осуществляется двойным щелчком на имени их спецификации в левой части изображенного на рис. 7.19 экрана. Редактирование значения отдельных параметров математической модели выполняется после двойного щелчка по его имени в правой части этого экрана. При вводе данных можно пользоваться масштабными множителями, указанными в разд. 3.1.

По команде Trace/Add возможно построить семейство характеристик при вариации температуры или других параметров модели. По умолчанию предлагается построить графики характеристик при изменении температуры (рис. 7.21). Однако по команде Plot/X Axis Settings/Trace Variable можно изменить имя варьируемой переменной. Например, для диодов возможна вариация параметров IS, N, RS, IKF, EG и XTI.

Рис. 7.21. Построение температурных зависимостей

Построение модели завершается командой записи обновленных данных в библиотечный файл File/Save Library.

Далее приведем списки вводимых паспортных данных для всех типов компонентов, включенных в программу Parts, и перечень параметров их математических моделей.

Звездочками * в приводимых ниже перечнях отмечены параметры, не оцениваемые в программе Parts; им по умолчанию присваиваются типичные значения (на экране программы Probe в окне Parameters

эти переменные помечены как Fixed).

Диоды. Паспортные данные диода, которые вводит пользователь (тип модели DIODE), и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.9.

Таблица 7.9

Символы данных	Справочные данные	Параметры модели (Parameters) Имя Значение
Прямая ветвь ВАХ
Vfwd, Ifwd	Координаты точек ВАХ диода	IS	10 А
		RS	0,1 Ом
		N	1
		IKF	0
		XTI*	3
		EG*	1,11 В
Барьерная емкость
Vrev, Cj	Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения	CJO VJ	1 пФ 0,75 B
		M	0,3333
		FC*	0,5 B
Сопротивление утечки
Vrev, Irev	Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения	ISR NR	100 пA 2
Напряжение стабилизации
Vz	Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz	BV IBV	100 В 100 мкA
Iz	Ток пробоя (стабилизации)
Zz	Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz)
Рассасывание носителей заряда
Trr	Время рассасывания носителей заряда	TT	5 нс
Ifwd	Ток диода в прямом направлении до переключения
Irev	Обратный ток диода после переключения
Rl	Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора)

Биполярные транзисторы. В табл. 7.10 приведены паспортные данные биполярного транзистора (NPN или PNP TRANSISTOR), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.

Таблица 7.10

Символы данных	Справочные данные (Model Spec.)	Параметры модели (Parameters) Имя Значение
Напряжение на p–n-переходе
Vbe	Смещение база–эмиттер в режиме насыщения	IS XTI*	10 А 3
Vce	Смещение коллектор–эмиттер в режиме насыщения	EG*	1,11 B
Ib	Ток базы при заданных Vbe, Vce
Ib%	Доля тока коллектора, протекающего через диод коллектор–база с идеальной характеристикой (по умолчанию 80%)
Выходная проводимость
Ic, hoe	Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора Ic	VAF	100 B
Vce	Смещение коллектор–эмиттер Vce=5 В
Статический коэффициент передачи по току
Ic, hFE	Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора Ic	BF NE ISE	100 1,5 0
	Измерения проводились при смещении коллектор–эмиттер Vce=1 В	XTB* NK*	1,5 0,5
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер
Ic, Vce	Зависимость напряжения насыщения коллектор–эмиттер Vce от тока коллектора Ic	BR NC ISC	1 2 0
	Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10	IKR RC	0 0
Барьерная емкость коллектор–база
Vcb, Cobo	Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор–база Vcb	CJC VJC MJC FC*	2 пФ 0,75 B 0,3333 0,5
Барьерная емкость эмиттер–база
Veb, Cibo	Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на входе от напряжения обратного смещения эмиттер–база Veb	CJE VJE MJE	5 пФ 0,75 B 0,3333
Время рассасывания заряда
Ic, ts	Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора Ic. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10	TR	10 нс
Площадь усиления
Ic, fT	Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока fT в схеме с ОЭ от тока коллектора Ic. Смещение коллектор–эмиттер Vce=10 В	TF ITF XTF VTF*	1 нс 1 0 10 В

<

Полевые транзисторы.

Паспортные данные полевого транзистора (NJF или PJF), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.11.

Таблица 7.11

Символы данных	Справочные данные (Model Spec.)	Параметры модели (Parameters) Имя Значение
Передаточная проводимость
Id, gFS	Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id	BETA BETATCE*	0,001 –0,5
		RS	1 Ом
		RD	1 Oм
Выходная проводимость
Id, gOS	Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id	LAMBDA	0,01
Проходная характеристика
Vgs, Id	Зависимость тока стока Id от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В	VTO VTOTC*	–2,5 В –0,0025
Проходная емкость
Vgs, Crss	Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=0	CGD M PB FC*	1 пФ 0,3333 1 0,5
Входная емкость
Vgs, Ciss	Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В	CGS	1 пФ
Ток утечки затвора в пассивном режиме
Vdg, Igss	Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток–затвор Vdg	IS	10 А
		ISR	10 А
		N	1
		NR	2
		XTI*	3
Ток утечки затвора в активном режиме
Vdg, Ig	Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток–затвор Vdg. Ток стока Id=1 мА	ALPHA VK	10 100 В
Уровень внутреннего шума
Freq, en	Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума, приведенного ко входу. Ток стока Id=1 мА	KF AF*	10 1

Мощные МОП-транзисторы. В табл. 7.12 приведены паспортные данные мощного МОП-транзистора (PWR MOSFET), вводимые пользователем, и список параметров его математической модели третьего уровня (LEVEL=3), которые рассчитываются в программе.

Таблица 7.12

Символы данных	Справочные данные (Model Spec.)	Параметры модели (Parameters) Имя Значение
Передаточная проводимость
Id, gFS	Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id	RS KP W L	20·10 20·10 0,5 2·10
Проходная характеристика
Vgs, Id	Зависимость тока стока Id от смещения затвор–исток Vgs	VTO	3 В
Сопротивление канала в состоянии “включено”
Rds, Id	Зависимость статического сопротивления сток–исток Rds от тока истока Id. Смещение затвор–исток Vds=10 В	RD	10 Ом
Сопротивление утечки канала при нулевом смещении на затворе
Idss	Ток стока при нулевом потенциале затвора и напряжении Vds	RDS	1 МОм
Vds	Смещение сток–исток при измерении тока Idss
Объемный заряд в состоянии “включено”
Qgd	Общий заряд области затвора	CGSO	40 пФ
Qgs	Заряд области затвор–исток, необходимый для переключения	CGDO	10 пФ
Vds	Постоянный потенциал истока (по умолчанию 50 В)
Id	Ток стока (по умолчанию 50 А)
Выходная емкость
Vds	Смещение сток–исток при измерениях емкостей	CBD	1 нФ
Coss	Выходная емкость	PB	0,8 В
		MJ	0,5
		FC*	0,5
Время переключения
tf	Время переключения	RG	5 Ом
Id	Ток стока
Vdd	Постоянный потенциал истока (по умолчанию 20 В)
Zo	Выходное сопротивление генератора импульсного напряжения (по умолчанию 5 Ом)
Ток стока в инверсном режиме
Vsd, Idr	Зависимость напряжения прямого смещения перехода исток–сток Vsd от обратного тока стока Idr	IS N RB	10 A 1 10 Ом

Расчет параметров математических моделей отечественных МОП-транзисторов с помощью программы Parts затруднен ввиду того, что в паспортных данных отсутствуют значения зарядов Qg, Qgs.

Операционные усилители. После выбора в начальном меню программы Parts режима OPAMP необходимо по запросам программы указать тип транзистора входного каскада и наличие внутренней/внешней коррекции (см. рис. 5.1):

Technology – BJT (биполярный транзистор) или JFET (полевой транзистор);

Input – NPN или PNP (для биполярного транзистора) и n-channel или p-channel (для полевого транзистора);

Compensation – Internally (внутренняя) или Externally (внешняя коррекция).

В табл. 7.13 приведены паспортные данные ОУ, которые вводит пользователь, и список параметров его макромодели, которые рассчитываются в программе.

Таблица 7.13

Символы данных	Справочные данные (Model Spec.)	Параметры модели (Parameters) Имя Значение
Параметры для большого сигнала
+Vpwr	Напряжение источника положительного напряжения (15 В)	VC VE	2 В 2 В
–Vpwr	Напряжение источника отрицательного напряжения (–15 В)
+Vout	Максимальное значение выходного напряжения положительной полярности (13 В)
–Vout	Максимальное значение выходного напряжения отрицательной полярности (–13 В)
+SR	Максимальная скорость нарастания выходного напряжения положительной полярности (500·10 В/с)
–SR	Максимальная скорость нарастания выходного напряжения отрицательной полярности (500·10 В/с)
Pd	Потребляемая мощность в статическом режиме (50 мВт)
Коэффициент усиления без цепи обратной связи (входной каскад на БТ)
Cc	Емкость коррекции (30 пФ)	BF	75
Ib	Входной ток смещения (100 нА)	C2	30 пФ
Av-dc	Коэффициент усиления постоянного напряжения (200 тыс.)	CEE GA	0 189·10
f-0db	Частота единичного усиления (1 МГц)	GCM	1,9·10
CMRR	Коэффициент подавления синфазного сигнала (100 тыс.)	IEE RC	15·10 5305
		RE	1832
		REE	13810
		RP	18160
Коэффициент усиления без цепи обратной связи (входной каскад на ПТ)
Cc	Емкость коррекции (10 пФ)	BETA	789·10
Ib	Входной ток смещения (30 пА)	C2	10 пФ
Av-dc	Коэффициент усиления постоянного напряжения (200 тыс.)	CSS GA	0 63·10
f-0db	Частота единичного усиления (1 МГц)	GCM	63·10
CMRR	Коэффициент подавления синфазного сигнала (100 тыс.)	IS ISS	15·10 5·10
		RD	15,9
		RSS	40·10
		RP	18000
Фазочастотная характеристика без цепи обратной связи
Phi	Запас по фазе на частоте единичного усиления, град. (60 )	C1	8,6 пФ
Предельные значения выходных сопротивлений
Ro-dc	Выходное сопротивление на низких частотах (75 Ом)	R01 R02	50 Ом 25 Ом
Ro-ac	Выходное сопротивление на высоких частотах (50 Ом)	GB	424,4
Ios	Максимальный ток короткого замыкания (20 мА)

Замечания. 1. По умолчанию параметрам математической модели присваиваются значения параметров конкретных ОУ. Выше для конкретности приведены параметры модели ОУ 140УД7 (аналог

A741) [9, 38].

2. Частота единичного усиления f-0db связана с частотой первого полюса f

соотношением f-0db=f

· Av-dc . Запас по фазе Phi на частоте единичного усиления определяется отношением частоты единичного усиления к частоте второго полюса f

Phi = 90

– arctg (f-0db/ f

),

где арктангенс вычисляется в градусах.

3. Для ОУ с внешней коррекцией указывается значение емкости корректирующего конденсатора Cc, для которого приведено значение запаса по фазе Phi и другие параметры ОУ.

4. В справочных данных обычно приводится полное выходное сопротивление R

=Ro-ac + Ro-dc. Его надо разделить на две составляющие, ориентируясь на приближенное соотношение Ro-dc=2Ro-ac.

Компараторы напряжения. После выбора в начальном меню программы Parts режима VOLT. COMPARATOR необходимо ответить на ряд запросов программы:

Input Stage – NPN, PNP (тип биполярного транзистора во входном каскаде);

Output Stage Connection – to –V Supply или to Ground (указывается, подключен ли транзистор выходного каскада к источнику отрицательного напряжения или предусмотрен независимый вывод “земли” выходного каскада, как показано на рис. 5.5).

Паспортные данные компараторов напряжения, которые вводит пользователь, и список параметров его макромодели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.14.

Таблица 7.14

Символы данных	Справочные данные (Model Spec.)	Параметры модели (Parameters) Имя Значение
Переходная характеристика
+Vpwr	Напряжение источника положительного напряжения (5 В)	BF1 BF5	2000 10350
–Vpwr	Напряжение источника отрицательного напряжения (0 В)	RP VI	505 0
+Vicr	Максимальное значение положительного перепада синфазного напряжения (3,5 В)
–Vicr	Максимальное значение отрицательного перепада синфазного напряжения (0 В)
Ib	Входной ток смещения (25 нА)
Avd	Коэффициент усиления напряжения постоянного тока (200 тыс.)
Rl	Сопротивление нагрузки (10 кОм)
Pd	Потребляемая мощность (50 мВт)
Задержка спада напряжения
Vst	Перепад входного напряжения (0,1 В)	TR3	594 нс
Vod	Перевозбуждение входного напряжения (20 мВ)
td	Длительность задержки (500 нс)
Время переключения
Vst	Перепад входного напряжения (0,1 В)	TF5	7 нс
Vod	Перевозбуждение входного напряжения (20 мВ)
ttr	Длительность фронта нарастания выходного напряжения (100 нс)
Время нарастания напряжения
Vst	Перепад входного напряжения (0,1 В)	TR5	384 нс
Vod	Перевозбуждение входного напряжения (20 мВ)
td	Длительность фронта спада выходного напряжения (500 нс)

По умолчанию параметрам математической модели присваиваются значения параметров типовых компараторов каждого типа. Выше для конкретности указаны параметры компаратора 1401СА1 (аналог LM319) [9, 46].

Стабилизатор напряжения. В табл. 7.15 приведены паспортные данные стабилизатора напряжения (VOLT. REFERENCE), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе [85].

Таблица 7.15

Символы данных	Справочные данные (Model Spec.)	Параметры модели (Parameters) Имя Значение
Динамическое сопротивление
Ir, Rz	Зависимость обратного тока Ir от динамического сопротивления Rz	NZ RZ	10 0,5 Ом
Напряжение стабилизации
Vref	Напряжение обратного пробоя	RBV	2,5 кОм
Ir	Обратный ток, при котором измерено напряжение Vref	IRMAX	30 мА
Irmax	Модуль максимального значения тока пробоя
Температурная нестабильность
Temp, Vref	Зависимость напряжения обратного пробоя Vref от температуры	TC1 TC2	10 –7·10
Характеристики режима обратного включения
Vr, Ir	Зависимость обратного напряжения Vr от обратного тока Ir	IREV NREV	200 мкА 50
Характеристики рабочего режима
Ifwd, Vfwd	Зависимость потребляемого тока Ifwd от напряжения Vfwd	IS N RS IKF XTI	10 1 0,1 Ом 0 3

Регулятор напряжения. Паспортные данные регулятора напряжения (VOLT. REGULATOR), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе [83], приведены в табл. 7.16.

Таблица 7.16

Символы данных	Справочные данные (Model Spec.)	Параметры модели (Parameters) Имя Значение
Напряжение стабилизации
Vref	Напряжение стабилизации	VREF	1,25 В
Dropout	Напряжение отпускания	N	2
(Vi–Vo)max	Максимальная разница между входным и выходным напряжением
IOmin	Минимальный выходной ток
Ток установки
Iadj	Ток установки	BETA	50 мкСм
Выходное сопротивление
Zout	Выходное сопротивление на низких частотах	VAF	100 В
Zero	Частота нуля выходного комплексного сопротивления	CPZ	1 мкФ
RR	Неравномерность ослабления пульсаций на низких частотах, в децибелах
Frequency	Частота, на которой измерены Zout и RR
IO	Выходной ток, при котором измерены Zout и RR
Предельные значения выходного тока
IOmax	Максимальный выходной ток	RB2	200 Ом
Iofb, Vi-Vo	Зависимость тока обратной связи Iofb от разницы между входным и выходным напряжением Vi-Vo	ESC1 ESC2	0,5 –0,1
		EFB1	25
		EFB2	–1
		EB	100

Магнитный сердечник. Программа Parts в настоящее время оценивает параметры модели магнитного сердечника уровня LEVEL=2, в которой не учитываются эффекты взаимодействия доменов и частотно-зависимые потери. Наиболее адекватно эта модель описывает ферриты и молибденовые пермаллои. Программа Parts на основании экспериментальных данных оценивает параметры, отражающие физические свойства магнитных материалов. При создании файлов моделей сердечников из одного материала с разной геометрией удобно использовать конструкцию AKO (см. разд. 3.2 ).

Пользователь вводит по точкам кривую намагничивания и указывает значение начальной магнитной проницаемости, на основании чего программа рассчитывает параметры его модели (напряженность магнитного поля H указывается в эрстедах, магнитная индукция B – в гауссах; см. табл. 7.17):

Таблица 7.17

Символы данных	Справочные данные (Model Spec.)	Параметры модели (Parameters) Имя Значение
H (Oers.), B (Gauss)	Координаты кривой намагничивания. Начальная магнитная проницаемость =1000	MS A C	500·10 А/м 10 А/м 0,1
		K	10
		ALPHA	10
		GAMMA	0 c
		AREA	0,1 см
		GAP	0 см
		PACK	1
		PATH	1 см
		LEVEL	2 (не изменяется)

После ввода по точкам кривой гистерезиса и расчета параметров модели магнитного сердечника в окне Parameters

вводят значения геометрических размеров сердечника AREA, PATH, GAP и PACK.